LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。          

    一般來說，LED外延生產完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對其產生本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后，如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。這是因為用金剛石砂輪刀片切割后，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結處就會造成漏電，甚至會有擊穿現象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。 在芯片生產過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。

    LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺寸大小是根據不同芯片生產廠家的實際生產水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關，芯片小可提高單位產出并降低成本，光電性能并不會發生根本變化。芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會降低，所以正向導通電壓會有所下降。

    隨著半導體LED技術的發展，其在照明領域的應用也越來越多，特別是白光LED的出現，更是成為半導體照明的熱點。但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發展。

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